様々な物質（測定物）の 誘電率（比誘電率） を「あいうえお順」に記載します。. 真空の状態は1.0で、導電性物質は誘電率が大きく、絶縁性物質は誘電率が小さくなります。. また、一部の物質は状態や環境によって誘電率が変化することがあります.. 化学式がSiO 2 の二酸化ケイ素（Silicon Oxide・シリコンオキサイド）の高純度のものを言う. 溶融石英、シリカガラスなどとも言われる. 他のガラスと比べ純度が高く、透明度も高い. 耐熱性、耐熱衝撃性に優れている. ビッカース硬度8.6〜9.8GPaと高くないが.
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例えば、組成的には、窓や瓶の材料に代表されるソ ーダ石灰ガラスなどが複数の成分から構成されている のに対し、石英ガラスの組成は二酸化珪素単一成分の みであるが、その原料、製法の相違により数種類に分 類でき、おのおの性質も異なる。 また、石英ガラスの製法は水晶や珪砂などの石英を 高温で溶融する方法から始まり、今日でも主流ではあ るが、最近では非結晶の二酸化珪素から溶融過程を経 ないで石英ガラスを作る製法も開発されている。 1 使用する側は、これら数種類の石英ガラスの中から 必要な性質を持つ石英ガラスを選択し使い分けている。 見方を変えれば、石英ガラスは各分野からの要求に 答えるため改良を重ね進化してきたとも言える。. 微細化されたトランジスタのゲート絶縁膜厚さは、かつての二酸化シリコン絶縁膜(比誘電率は3.9)では、1 nm程度が物理的な限界であると考えられてきましたが、その限界がhigh- kゲート絶縁膜の採用により突破され、すでに1 nmを下回る電気的な絶縁膜厚のトランジスタが得られています。 私たちのグループでは、この技術を用いてすでに、0.5 nm以下という極限まで微細化された絶縁膜厚をもつトランジスタの動作に成功していますが、この技術は将来の更なるスケーリングに必須な技術であると考えています(図2)。 技術の概要. 現在広く用いられているhigh- kゲート絶縁膜であるHfO 2(二酸化ハフニウム)は通常、13〜18程度の比誘電率をもっています。
